梳型栅结构HEMT射频器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110511019.2

申请日：

2021-05-11

公开(公告)号：

CN113257910B

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

孙慧卿丁霄黄志辉王鹏霖李渊夏晓宇夏凡张淼马建铖谭秀洋

申请人：

申请人地址：

510630 广东省广州市天河区中山大道西55号半导体科学与技术研究院

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335

代理机构：

北京清控智云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11919

代理人：

仵乐娟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-03	授权	授权
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20210511
2021-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

双渐变沟道结构HEMT射频器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

丁霄 ;

王鹏霖 ;

黄志辉 ;

郭志友 .

中国专利 :CN112993031A ,2021-06-18

[2]

插指栅结构的HEMT射频器件 [P].

李利哲 ;

李增林 ;

王国斌 .

中国专利 :CN218414587U ,2023-01-31

[3]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457A ,2024-01-23

[4]

凹槽栅型GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

邹鹏辉 ;

王文博 ;

马飞 .

中国专利 :CN117438457B ,2024-03-22

[5]

具有栅漏复合阶梯场板结构的增强型HEMT射频器件及其制备方法 [P].

孙慧卿 ;

夏凡 ;

李渊 ;

夏晓宇 ;

谭秀洋 ;

张淼 ;

马建铖 ;

黄志辉 ;

王鹏霖 ;

丁霄 .

中国专利 :CN113178480A ,2021-07-27

[6]

具有空腔栅结构的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

周国 ;

谭永亮 ;

高渊 ;

吕鑫 ;

张力江 ;

崔玉兴 .

中国专利 :CN114121654A ,2022-03-01

[7]

HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件 [P].

王晶晶 ;

钟杰斌 .

中国专利 :CN116313797B ,2025-08-15

[8]

射频器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

刘张李 ;

蒙飞 .

中国专利 :CN120936098A ,2025-11-11

[9]

一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法 [P].

王东 ;

郭昂 ;

陈兴 ;

吴勇 ;

黄永 ;

常焕堉 ;

李永军 .

中国专利 :CN118156131A ,2024-06-07

[10]

一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法 [P].

李国强 ;

吴能滔 ;

邢志恒 ;

李善杰 ;

曾凡翊 ;

罗玲 .

中国专利 :CN114373798B ,2025-09-26

← 1 2 3 4 5 →