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射频器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510969391.6
申请日：
2025-07-14
公开(公告)号：
CN120936098A
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
刘洋 刘张李 蒙飞
申请人：
华虹半导体（无锡）有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H10D86/01
IPC分类号：
H10D86/00 H01L21/50
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
崔莹
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-11 公开 公开
2025-11-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 86/01申请日:20250714
共 50 条
[1]
射频开关器件及其制备方法 [P]. 
刘张李 ;
王菲 .
中国专利 :CN118448421A ,2024-08-06
[2]
半导体器件结构及其制备方法、射频开关及其制备方法 [P]. 
孟凡理 ;
李泽源 ;
陈江博 .
中国专利 :CN119922924A ,2025-05-02
[3]
射频器件及其制备方法 [P]. 
蒋将 ;
祝明国 ;
胡念楚 ;
贾斌 .
中国专利 :CN113764362A ,2021-12-07
[4]
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件 [P]. 
袁卫华 ;
程文进 ;
孙勇 ;
徐松 ;
罗才旺 ;
彭立波 ;
曹华翔 ;
罗南安 .
中国专利 :CN112713082A ,2021-04-27
[5]
GaN射频器件及其制备方法 [P]. 
张安邦 ;
许东 .
中国专利 :CN117038461B ,2024-08-27
[6]
射频开关器件及其制备方法 [P]. 
朱荣峰 ;
孙涛 ;
蒙飞 .
中国专利 :CN117995850A ,2024-05-07
[7]
电容及其制备方法、射频器件 [P]. 
曹雪 ;
冯春楠 ;
冯昱霖 ;
杨硕 ;
李月 .
中国专利 :CN119694792A ,2025-03-25
[8]
半导体射频器件及其栅极的制备方法 [P]. 
肖阳 ;
蔡勇 ;
邢娟 ;
尹立航 ;
吴增远 ;
荆晴晴 ;
薛俊民 ;
彭宇杰 ;
王恒 .
中国专利 :CN119767716A ,2025-04-04
[9]
半导体射频器件及其栅极的制备方法 [P]. 
肖阳 ;
蔡勇 ;
邢娟 ;
尹立航 ;
吴增远 ;
荆晴晴 ;
薛俊民 ;
彭宇杰 ;
王恒 .
中国专利 :CN119767716B ,2025-12-12
[10]
射频器件的衬底及其制备方法 [P]. 
周琼 ;
岳盛楠 .
中国专利 :CN120933231A ,2025-11-11
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