射频器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111007896.2

申请日：

2021-08-30

公开(公告)号：

CN113764362A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

蒋将祝明国胡念楚贾斌

申请人：

申请人地址：

361026 福建省厦门市海沧区海沧大道555号厦门中心大厦E栋19楼

IPC主分类号：

H01L2331

IPC分类号：

H01L2156 H01L23488 H01L2160

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张体南

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/31 申请日:20210830
2021-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

射频器件及其制备方法 [P].

刘洋 ;

刘张李 ;

蒙飞 .

中国专利 :CN120936098A ,2025-11-11

[2]

GaN射频器件及其制备方法 [P].

张安邦 ;

许东 .

中国专利 :CN117038461B ,2024-08-27

[3]

电容及其制备方法、射频器件 [P].

曹雪 ;

冯春楠 ;

冯昱霖 ;

杨硕 ;

李月 .

中国专利 :CN119694792A ,2025-03-25

[4]

射频器件的衬底及其制备方法 [P].

周琼 ;

岳盛楠 .

中国专利 :CN120933231A ,2025-11-11

[5]

微纳射频器件及其制备方法 [P].

陈泽基 ;

杨晋玲 ;

袁泉 ;

刘文立 ;

杨富华 .

中国专利 :CN113086943B ,2021-07-09

[6]

射频LDMOS器件结构及其制备方法 [P].

王雷 ;

王海军 ;

彭虎 ;

缪燕 .

中国专利 :CN102254913A ,2011-11-23

[7]

用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件 [P].

袁卫华 ;

程文进 ;

孙勇 ;

徐松 ;

罗才旺 ;

彭立波 ;

曹华翔 ;

罗南安 .

中国专利 :CN112713082A ,2021-04-27

[8]

一种射频器件及其制备方法 [P].

岳云豪 .

中国专利 :CN119943798A ,2025-05-06

[9]

射频器件及其制备方法、电子设备 [P].

李水明 ;

何涛 ;

李海军 .

中国专利 :CN118116967A ,2024-05-31

[10]

半导体器件结构及其制备方法、射频开关及其制备方法 [P].

孟凡理 ;

李泽源 ;

陈江博 .

中国专利 :CN119922924A ,2025-05-02

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