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用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911022844.5
申请日
:
2019-10-25
公开(公告)号
:
CN112713082A
公开(公告)日
:
2021-04-27
发明(设计)人
:
袁卫华
程文进
孙勇
徐松
罗才旺
彭立波
曹华翔
罗南安
申请人
:
申请人地址
:
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号
IPC主分类号
:
H01L2102
IPC分类号
:
H01L21683
H01L2906
H01L2916
H01L2920
代理机构
:
湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008
代理人
:
周长清;徐好
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-05-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20191025
2021-04-27
公开
公开
共 50 条
[1]
氮化镓射频功率器件及其制备方法
[P].
王鹏飞
论文数:
0
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王鹏飞
;
刘晓勇
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刘晓勇
;
孙清清
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孙清清
;
周鹏
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周鹏
;
张卫
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张卫
.
中国专利
:CN103219376A
,2013-07-24
[2]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[3]
氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法
[P].
房育涛
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
房育涛
;
胡浩林
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
蔡子东
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
蔡子东
;
高园
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
高园
.
中国专利
:CN120358782B
,2025-09-19
[4]
氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法
[P].
房育涛
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
房育涛
;
胡浩林
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
胡浩林
;
蔡子东
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
蔡子东
;
高园
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机构:
深圳平湖实验室
深圳平湖实验室
高园
.
中国专利
:CN120358782A
,2025-07-22
[5]
氮化镓器件
[P].
司志伟
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司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN216084919U
,2022-03-18
[6]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武占侠
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武占侠
;
王祥
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王祥
;
洪海敏
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洪海敏
;
刘飞飞
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刘飞飞
;
温雷
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温雷
;
文豪
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文豪
;
卜小松
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卜小松
.
中国专利
:CN114864686A
,2022-08-05
[7]
氮化镓器件及其制备方法
[P].
武盛
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
武盛
;
代云飞
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
代云飞
;
张煜
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
张煜
;
别业楠
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
别业楠
;
刘海军
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
刘海军
;
李文明
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机构:
中兴通讯股份有限公司
中兴通讯股份有限公司
李文明
.
中国专利
:CN119521704A
,2025-02-25
[8]
一种氮化镓器件的制备方法及氮化镓器件
[P].
郭芬
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郭芬
;
苏康
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苏康
;
李拓
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李拓
.
中国专利
:CN114023645A
,2022-02-08
[9]
氮化镓器件
[P].
霍炎
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霍炎
;
谢雷
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谢雷
;
谭富耀
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谭富耀
.
中国专利
:CN216488068U
,2022-05-10
[10]
氮化镓基增强型射频器件及其制备方法
[P].
栾田田
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机构:
中国科学院微电子研究所
中国科学院微电子研究所
栾田田
;
论文数:
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机构:
黄森
;
论文数:
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机构:
刘新宇
;
论文数:
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机构:
蒋其梦
;
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机构:
王鑫华
;
论文数:
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机构:
魏珂
.
中国专利
:CN117542875A
,2024-02-09
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