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氮化镓射频功率器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201310098145.5
申请日
:
2013-03-25
公开(公告)号
:
CN103219376A
公开(公告)日
:
2013-07-24
发明(设计)人
:
王鹏飞
刘晓勇
孙清清
周鹏
张卫
申请人
:
申请人地址
:
200433 上海市杨浦区邯郸路220号
IPC主分类号
:
H01L29778
IPC分类号
:
H01L21335
代理机构
:
上海正旦专利代理有限公司 31200
代理人
:
陆飞;盛志范
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-07-24
公开
公开
2016-01-20
授权
授权
2013-11-06
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535154371 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2013100981455 申请日:20130325
共 50 条
[1]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
论文数:
0
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0
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘成
;
王哲力
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王哲力
;
梁玉玉
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0
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0
机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[2]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
刘昊
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘昊
;
叶念慈
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
叶念慈
;
刘成
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
刘成
;
陈奋
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈奋
;
陈泓
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
陈泓
;
徐涵
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厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
徐涵
;
付杰
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
付杰
;
张辉
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机构:
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司
张辉
.
中国专利
:CN119096369A
,2024-12-06
[3]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296B
,2025-09-05
[4]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张葶葶
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张葶葶
;
李亦衡
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李亦衡
;
王东盛
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王东盛
;
苗操
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苗操
;
魏鸿源
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魏鸿源
;
严文胜
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严文胜
;
朱廷刚
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朱廷刚
.
中国专利
:CN105355665A
,2016-02-24
[5]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
郝荣晖
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机构:
深圳镓楠半导体科技有限公司
深圳镓楠半导体科技有限公司
郝荣晖
.
中国专利
:CN119835968A
,2025-04-15
[6]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
林育赐
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
林育赐
;
李伟聪
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
李伟聪
;
姜春亮
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
姜春亮
;
梁志锦
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机构:
深圳市威兆半导体股份有限公司
深圳市威兆半导体股份有限公司
梁志锦
.
中国专利
:CN120379296A
,2025-07-25
[7]
氮化镓功率器件及其制备方法
[P].
张龙
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机构:
东南大学
东南大学
张龙
;
马杰
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机构:
东南大学
东南大学
马杰
;
张森
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机构:
东南大学
东南大学
张森
;
刘斯扬
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机构:
东南大学
东南大学
刘斯扬
;
孙媛
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机构:
东南大学
东南大学
孙媛
;
何乃龙
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机构:
东南大学
东南大学
何乃龙
;
温宏扬
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机构:
东南大学
东南大学
温宏扬
;
刘新新
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机构:
东南大学
东南大学
刘新新
;
孙伟锋
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机构:
东南大学
东南大学
孙伟锋
.
中国专利
:CN119153489A
,2024-12-17
[8]
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件
[P].
袁卫华
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袁卫华
;
程文进
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程文进
;
孙勇
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孙勇
;
徐松
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徐松
;
罗才旺
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罗才旺
;
彭立波
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彭立波
;
曹华翔
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曹华翔
;
罗南安
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0
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0
罗南安
.
中国专利
:CN112713082A
,2021-04-27
[9]
氮化镓基功率器件及其制备方法
[P].
李丹丹
论文数:
0
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李丹丹
.
中国专利
:CN109411580A
,2019-03-01
[10]
一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法
[P].
周德金
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周德金
;
冯黎
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冯黎
;
李晓茜
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李晓茜
;
张卫
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张卫
;
卢红亮
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卢红亮
;
黄伟
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黄伟
.
中国专利
:CN111048584A
,2020-04-21
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