氮化镓基增强型射频器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210915204.2

申请日：

2022-08-01

公开(公告)号：

CN117542875A

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

栾田田黄森刘新宇蒋其梦王鑫华魏珂

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/778 H01L21/335

代理机构：

北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667

代理人：

苑晨超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/06申请日:20220801
2024-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅基氮化镓增强型HEMT器件及其制备方法 [P].

陈珍海 ;

鲍婕 ;

宁仁霞 ;

周德金 ;

许媛 ;

刘琦 ;

黄伟 .

中国专利 :CN111293173A ,2020-06-16

[2]

带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法 [P].

刘靖骞 ;

王金延 ;

徐哲 ;

王茂俊 ;

于民 ;

吴文刚 ;

张进城 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106298904A ,2017-01-04

[3]

氮化镓增强型器件及其制造方法 [P].

王祥骏 ;

彭立仪 ;

邱昭玮 ;

邱显钦 ;

敖金平 .

中国专利 :CN112382662B ,2021-02-19

[4]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909A ,2022-02-11

[5]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909B ,2024-05-17

[6]

一种增强型氮化镓HEMT器件及其制备方法 [P].

王梓霖 ;

王敬 ;

赵清 ;

单卫平 ;

赵海明 ;

钮应喜 ;

袁松 ;

张晓洪 ;

左万胜 ;

钟敏 ;

史田超 .

中国专利 :CN114284340A ,2022-04-05

[7]

基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法 [P].

黄森 ;

施雯 ;

王鑫华 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN112345614A ,2021-02-09

[8]

一种增强型氮化镓基晶体管及其制备方法 [P].

徐美 ;

刘志宏 ;

樊雨佳 ;

许淑宁 ;

邢伟川 ;

周瑾 ;

杨伟涛 ;

冯欣 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114899227A ,2022-08-12

[9]

氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备方法 [P].

徐哲 ;

王金延 ;

刘靖骞 ;

王茂俊 ;

谢冰 ;

于民 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN104167362A ,2014-11-26

[10]

一种用于氮化镓基射频器件的外延结构及其制备方法 [P].

唐军 ;

冯欢欢 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN114250510A ,2022-03-29

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