带氮化镓插入层的氮化镓基增强型器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510276316.8

申请日：

2015-05-26

公开(公告)号：

CN106298904A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

刘靖骞王金延徐哲王茂俊于民吴文刚张进城马晓华郝跃

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906 H01L29423 H01L2966 H01L2128

代理机构：

北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200

代理人：

俞达成

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/778 申请公布日:20170104
2017-01-04	公开	公开
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700778151 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:2015102763168 申请日:20150526

共 50 条

[1]

氮化镓盖帽层掩模的凹槽栅氮化镓基增强型器件制备方法 [P].

徐哲 ;

王金延 ;

刘靖骞 ;

王茂俊 ;

谢冰 ;

于民 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN104167362A ,2014-11-26

[2]

氮化镓基增强型射频器件及其制备方法 [P].

栾田田 ;

黄森 ;

刘新宇 ;

蒋其梦 ;

王鑫华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN117542875A ,2024-02-09

[3]

氮化镓增强型器件及其制造方法 [P].

王祥骏 ;

彭立仪 ;

邱昭玮 ;

邱显钦 ;

敖金平 .

中国专利 :CN112382662B ,2021-02-19

[4]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909A ,2022-02-11

[5]

增强型氮化镓功率器件及其制备方法 [P].

刘美华 ;

金玉丰 .

中国专利 :CN114038909B ,2024-05-17

[6]

基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法 [P].

徐哲 ;

王金延 ;

刘洋 ;

蔡金宝 ;

刘靖骞 ;

王茂俊 ;

谢冰 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN103258739A ,2013-08-21

[7]

氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件 [P].

刘君梦 ;

叶念慈 ;

刘成 ;

王哲力 ;

梁玉玉 .

中国专利 :CN118280836A ,2024-07-02

[8]

增强型氮化镓功率器件的制备方法 [P].

白俊春 ;

程斌 ;

贾永 .

中国专利 :CN120390421A ,2025-07-29

[9]

一种氮化镓基增强型器件的制造方法 [P].

周琦 ;

鲍旭 ;

牟靖宇 ;

汪玲 ;

施媛媛 ;

章晋汉 ;

靳旸 ;

陈万军 ;

张波 .

中国专利 :CN104201104A ,2014-12-10

[10]

一种氮化镓增强型器件及其制备方法 [P].

何俊蕾 ;

林科闯 ;

刘成 ;

林育赐 ;

叶念慈 ;

徐宁 .

中国专利 :CN113851522A ,2021-12-28

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