半导体射频器件及其栅极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411860602.4

申请日：

2024-12-17

公开(公告)号：

CN119767716B

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

肖阳蔡勇邢娟尹立航吴增远荆晴晴薛俊民彭宇杰王恒

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H01L21/28 H10D30/47

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

郝永波

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20241217
2025-12-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体射频器件及其栅极的制备方法 [P].

肖阳 ;

蔡勇 ;

邢娟 ;

尹立航 ;

吴增远 ;

荆晴晴 ;

薛俊民 ;

彭宇杰 ;

王恒 .

中国专利 :CN119767716A ,2025-04-04

[2]

栅极结构及其制备方法、半导体器件 [P].

晋东坡 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN120529625A ,2025-08-22

[3]

半导体器件结构及其制备方法、射频开关及其制备方法 [P].

孟凡理 ;

李泽源 ;

陈江博 .

中国专利 :CN119922924A ,2025-05-02

[4]

半导体射频器件的射频测试方法 [P].

周天舒 .

中国专利 :CN102062834A ,2011-05-18

[5]

栅极制备方法及半导体器件 [P].

金奎东 .

中国专利 :CN119730348A ,2025-03-28

[6]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[7]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[8]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[9]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

张语 ;

刘辉 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

王凝一 .

中国专利 :CN118431075A ,2024-08-02

[10]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

张语 ;

刘辉 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

王凝一 .

中国专利 :CN118431075B ,2025-05-30

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