栅极制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411979435.5

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119730348A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

金奎东

申请人：

重庆奕能科技有限公司

申请人地址：

401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号10层1021室

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/27 H10D30/60

代理机构：

北京成创同维知识产权代理有限公司 11449

代理人：

杨思雨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20241230
2025-03-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[2]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

王飞飞 ;

李健飞 ;

徐宝盈 ;

杨志政 .

中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05

[3]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[4]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[5]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[6]

制造垂直栅极半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙娜 .

中国专利 :CN1675776A ,2005-09-28

[7]

绝缘栅极半导体器件 [P].

河野宪司 ;

都筑幸夫 .

中国专利 :CN102148239B ,2011-08-10

[8]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

张魁 ;

应战 .

中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28

[9]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15

[10]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

吴沛飞 ;

魏晓光 ;

张语 ;

刘辉 ;

李玲 ;

刘瑞 ;

焦倩倩 ;

王凝一 .

中国专利 :CN118431075A ,2024-08-02

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