制造垂直栅极半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03819359.0

申请日：

2003-07-28

公开(公告)号：

CN1675776A

公开(公告)日：

2005-09-28

发明(设计)人：

戈登·M·格里芙娜

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那

IPC主分类号：

H01L29735

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

付建军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-28	公开	公开
2021-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20030728 授权公告日:20081119 终止日期:20200728
2005-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-11-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517575C ,2008-03-12

[2]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[3]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[4]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[5]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517577C ,2008-04-02

[6]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192524A ,2008-06-04

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[8]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

中川聪 ;

伊东丰二 ;

尾藤阳二 ;

长野能久 .

中国专利 :CN1163474A ,1997-10-29

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

久保田正文 ;

林重德 .

中国专利 :CN1505114A ,2004-06-16

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