半导体器件的栅极制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610116881.9

申请日：

2006-09-30

公开(公告)号：

CN100517577C

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

马擎天刘乒张海洋

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20060930 授权公告日:20090722 终止日期:20180930
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249314167 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006101168819 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111116
2008-04-02	公开	公开
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[2]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192524A ,2008-06-04

[3]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[4]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[5]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[6]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517575C ,2008-03-12

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨旭刚 ;

田月姣 .

中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10

[8]

栅极沟槽以及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

黄敬勇 ;

鲍俊波 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102376576A ,2012-03-14

[9]

具有双栅极半导体器件的制造方法 [P].

尹康植 ;

朴洪培 ;

金钟采 .

中国专利 :CN1096114C ,1998-07-01

[10]

半导体器件栅极的制作方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101770944A ,2010-07-07

← 1 2 3 4 5 →