半导体器件栅极的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610030814.5

申请日：

2006-09-04

公开(公告)号：

CN100517575C

公开(公告)日：

2008-03-12

发明(设计)人：

马擎天刘乒张海洋

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-12	公开	公开
2011-12-28	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101249329211 IPC(主分类):H01L 21/28 专利号:ZL2006100308145 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111117
2008-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-07-22	授权	授权
2019-08-20	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20060904 授权公告日:20090722 终止日期:20180904

共 50 条

[1]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

刘乒 ;

陈海华 .

中国专利 :CN101192526A ,2008-06-04

[2]

半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 [P].

吴汉明 ;

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483634C ,2008-06-04

[3]

半导体器件栅极的制造方法 [P].

马擎天 ;

张海洋 ;

刘乒 .

中国专利 :CN100561671C ,2008-03-12

[4]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

马擎天 ;

刘乒 ;

张海洋 .

中国专利 :CN100517577C ,2008-04-02

[5]

半导体器件的栅极制造方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101192524A ,2008-06-04

[6]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[7]

制造垂直栅极半导体器件的方法 [P].

戈登·M·格里芙娜 .

中国专利 :CN1675776A ,2005-09-28

[8]

半导体器件的制造方法 [P].

刘乒 ;

张海洋 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100483633C ,2008-03-05

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[10]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

单利军 ;

康赐俊 ;

刘宇 ;

邱泰玮 ;

王丹云 ;

沈鼎瀛 .

中国专利 :CN112018234A ,2020-12-01

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