半导体器件的制备方法及半导体器件

被引：0

申请号：

CN202211007717.X

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN115346870A

公开(公告)日：

2022-11-15

发明(设计)人：

马跃袁家贵何云

申请人：

申请人地址：

312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

H01L2906 H01L29872

代理机构：

苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502

代理人：

朱磊;李洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-15	公开	公开
2022-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20220822

共 50 条

[1]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

马跃 ;

袁家贵 ;

何云 .

中国专利 :CN115346870B ,2025-12-30

[2]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

李枭 ;

谢志平 .

中国专利 :CN118522641A ,2024-08-20

[3]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

王飞飞 ;

李健飞 ;

徐宝盈 ;

杨志政 .

中国专利 :CN120432382A ,2025-08-05

[4]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于贝贝 ;

方潇功 ;

张俊龙 ;

项少华 ;

王琛 .

中国专利 :CN118335686A ,2024-07-12

[5]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206B ,2024-07-23

[6]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

于贝贝 ;

方潇功 ;

张俊龙 ;

项少华 ;

王琛 .

中国专利 :CN118335686B ,2025-02-07

[7]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

林笛 ;

黄艳 ;

赵晓燕 ;

李鑫昊 ;

范明远 .

中国专利 :CN118073206A ,2024-05-24

[8]

半导体结构及制备方法、半导体器件 [P].

韩智毅 ;

陈曦 .

中国专利 :CN115331927A ,2022-11-11

[9]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[10]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

尹晓明 ;

李玉科 .

中国专利 :CN116190443B ,2024-03-15

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