半导体器件的制备方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410482236.7
申请日
2024-04-22
公开(公告)号
CN118073206B
公开(公告)日
2024-07-23
发明(设计)人
林笛 黄艳 赵晓燕 李鑫昊 范明远
申请人
芯联集成电路制造股份有限公司
申请人地址
312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
IPC主分类号
H01L21/336
IPC分类号
H01L21/28 H01L29/40 H01L29/423 H01L29/78
代理机构
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人
李洋;吴飞
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
林笛 ;
黄艳 ;
赵晓燕 ;
李鑫昊 ;
范明远 .
中国专利 :CN118073206A ,2024-05-24
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554A ,2025-03-11
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554B ,2025-10-28
[4]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990799B ,2022-01-28
[5]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
马跃 ;
袁家贵 ;
何云 .
中国专利 :CN115346870A ,2022-11-15
[6]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于贝贝 ;
方潇功 ;
张俊龙 ;
项少华 ;
王琛 .
中国专利 :CN118335686A ,2024-07-12
[7]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
周成 .
中国专利 :CN120857544A ,2025-10-28
[8]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
丁文凤 ;
吴卓杰 ;
唐凌 ;
王岩 ;
覃庆媛 .
中国专利 :CN118299271A ,2024-07-05
[9]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
于贝贝 ;
方潇功 ;
张俊龙 ;
项少华 ;
王琛 .
中国专利 :CN118335686B ,2025-02-07
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
张魁 ;
应战 .
中国专利 :CN113990800A ,2022-01-28