半导体器件和半导体器件的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411714001.2
申请日
2024-11-27
公开(公告)号
CN119601554B
公开(公告)日
2025-10-28
发明(设计)人
林坤 曾耿豪
申请人
深圳市时代速信科技有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市福田区福保街道福保社区广兰道6号顺仓物流中心三层(深装总大厦A座3楼318-320)
IPC主分类号
H01L23/48
IPC分类号
H01L23/488 H01L21/768 H01L21/60
代理机构
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
张洋
法律状态
公开
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554A ,2025-03-11
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114141737B ,2022-03-04
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523A ,2022-07-01
[4]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523B ,2025-12-05
[5]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
杜文仙 ;
李暐凡 .
中国专利 :CN112242434A ,2021-01-19
[6]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
杜文仙 ;
李暐凡 .
中国专利 :CN112242434B ,2024-12-24
[7]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114420657B ,2022-04-29
[8]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
杨天应 ;
刘丽娟 ;
吴文垚 .
中国专利 :CN113809030B ,2021-12-17
[9]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
杨天应 ;
刘丽娟 ;
吴文垚 .
中国专利 :CN113823613B ,2021-12-21
[10]
半导体器件的制备方法及半导体器件 [P]. 
林笛 ;
黄艳 ;
赵晓燕 ;
李鑫昊 ;
范明远 .
中国专利 :CN118073206B ,2024-07-23