半导体器件和半导体器件的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111351366.X
申请日
2021-11-16
公开(公告)号
CN113809030B
公开(公告)日
2021-12-17
发明(设计)人
杨天应 刘丽娟 吴文垚
申请人
申请人地址
518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻前海商务秘书有限公司)
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
H01L23488 H01L21768 H01L2160
代理机构
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人
陈秋梦
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114420657B ,2022-04-29
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554A ,2025-03-11
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554B ,2025-10-28
[4]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
杨天应 ;
刘丽娟 ;
吴文垚 .
中国专利 :CN113823613B ,2021-12-21
[5]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114141737B ,2022-03-04
[6]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523A ,2022-07-01
[7]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07
[8]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
何鹏 ;
高远皓 .
中国专利 :CN120881988A ,2025-10-31
[9]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15
[10]
半导体器件的制备方法和半导体器件 [P]. 
罗珉权 ;
金学云 ;
金成哲 ;
朱宁炳 ;
李宙相 .
中国专利 :CN119324182A ,2025-01-17