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半导体器件和半导体器件的制备方法

被引：0
申请号：
CN202011607883.4
申请日：
2020-12-30
公开(公告)号：
CN114695523A
公开(公告)日：
2022-07-01
发明(设计)人：
裴轶 宋晰
申请人：
申请人地址：
215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
IPC主分类号：
H01L2940
IPC分类号：
H01L29423 H01L29778 H01L21335
代理机构：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463
代理人：
刘曾
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-19 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20201230
2022-07-01 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695523B ,2025-12-05
[2]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
裴轶 ;
宋晰 .
中国专利 :CN114695525A ,2022-07-01
[3]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554A ,2025-03-11
[4]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
林坤 ;
曾耿豪 .
中国专利 :CN119601554B ,2025-10-28
[5]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
许建华 ;
乐伶聪 ;
杨天应 .
中国专利 :CN114141737B ,2022-03-04
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
林坤 .
中国专利 :CN118213335A ,2024-06-18
[7]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
杜文仙 ;
李暐凡 .
中国专利 :CN112242434A ,2021-01-19
[8]
制造半导体器件的方法和半导体器件 [P]. 
杜文仙 ;
李暐凡 .
中国专利 :CN112242434B ,2024-12-24
[9]
半导体器件、制备半导体器件的方法 [P]. 
禹国宾 ;
何永根 .
中国专利 :CN105826376B ,2016-08-03
[10]
半导体器件和制备半导体器件的方法 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN109860022B ,2019-06-07
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