半导体器件、制备半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510007371.7

申请日：

2015-01-07

公开(公告)号：

CN105826376B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

禹国宾何永根

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

俞涤炯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-03	公开	公开
2019-01-22	授权	授权
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676761911 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015100073717 申请日:20150107

共 50 条

[1]

介质层制备方法、半导体器件制备方法及半导体器件 [P].

田野 ;

彭雄 ;

周长见 .

中国专利 :CN121171978A ,2025-12-19

[2]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05

[3]

半导体器件的制备方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 ;

杨达 .

中国专利 :CN102820228A ,2012-12-12

[4]

半导体器件的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880477A ,2020-03-13

[5]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

王剑屏 .

中国专利 :CN109545674B ,2019-03-29

[6]

半导体器件 [P].

赖惠先 ;

童宇诚 ;

林昭维 ;

朱家仪 ;

吕前宏 .

中国专利 :CN120936025A ,2025-11-11

[7]

半导体器件及半导体器件制备方法 [P].

方冬 ;

卞铮 .

中国专利 :CN111200018B ,2020-05-26

[8]

半导体器件和半导体器件的制备方法 [P].

裴轶 ;

宋晰 .

中国专利 :CN114695523A ,2022-07-01

[9]

半导体器件及半导体器件的制备方法 [P].

赵静 ;

张臣雄 .

中国专利 :CN108369946A ,2018-08-03

[10]

半导体器件的制备方法及半导体器件 [P].

伊艾伦 ;

欧欣 ;

周民 .

中国专利 :CN116741639B ,2025-04-18

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