半导体器件的形成方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811331736.1

申请日：

2018-11-09

公开(公告)号：

CN109545674B

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

王剑屏

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21266 H01L2711529 H01L2711573

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

董琳;陈丽丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	公开	公开
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20181109
2020-08-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[2]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邵光速 ;

肖德元 ;

白卫平 .

中国专利 :CN114121819A ,2022-03-01

[3]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

吴锋 ;

朴相烈 .

中国专利 :CN113078103B ,2021-07-06

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[5]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[6]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390560A ,2013-11-13

[7]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邱慈云 ;

吕瑞霖 ;

林爱梅 .

中国专利 :CN103855023A ,2014-06-11

[8]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101202232B ,2008-06-18

[9]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

孙明珠 .

中国专利 :CN114566467B ,2022-05-31

[10]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

王琪 ;

周鸣 .

中国专利 :CN101958310A ,2011-01-26

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