半导体器件的形成方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310317724.4

申请日：

2013-07-25

公开(公告)号：

CN103390560A

公开(公告)日：

2013-11-13

发明(设计)人：

李乐

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2910

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张亚利;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-13	公开	公开
2014-05-07	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700592921 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013103177244 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140410
2014-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584182869 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013103177244 申请日:20130725
2016-05-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

邱慈云 ;

吕瑞霖 ;

林爱梅 .

中国专利 :CN103855023A ,2014-06-11

[2]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[3]

半导体器件的形成方法及半导体器件 [P].

王剑屏 .

中国专利 :CN109545674B ,2019-03-29

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390609B ,2013-11-13

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110648970B ,2020-01-03

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104217992A ,2014-12-17

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105374738A ,2016-03-02

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

李强 .

中国专利 :CN113496942A ,2021-10-12

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