半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510355042.1

申请日：

2015-06-24

公开(公告)号：

CN106298669A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

黄敬勇何其暘

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20170104
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700790820 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015103550421 申请日:20150624
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107919324B ,2018-04-17

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN107785265B ,2018-03-09

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN110690109A ,2020-01-14

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094192A ,2013-05-08

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094136B ,2013-05-08

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 ;

黄晓辉 .

中国专利 :CN102487048B ,2012-06-06

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

纪世良 .

中国专利 :CN106298666A ,2017-01-04

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

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