半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410618097.2

申请日：

2014-11-05

公开(公告)号：

CN105575815A

公开(公告)日：

2016-05-11

发明(设计)人：

何志斌景旭斌

申请人：

申请人地址：

201203 上海浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡杰赟;骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663905533 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014106180972 申请日:20141105
2016-05-11	公开	公开
2018-06-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701149A ,2015-06-10

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104701163B ,2015-06-10

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106486370A ,2017-03-08

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

李润领 ;

周建华 ;

王昌锋 .

中国专利 :CN105609469A ,2016-05-25

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