半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510883147.4

申请日：

2015-12-03

公开(公告)号：

CN106847913A

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

邓浩陈志刚黄涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L29423

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731967951 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015108831474 申请日:20151203
2020-10-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20170613
2017-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

高超 ;

江红 ;

王哲献 .

中国专利 :CN103811307A ,2014-05-21

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

胡勇 ;

于涛 .

中国专利 :CN103219288B ,2013-07-24

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104752205B ,2015-07-01

[5]

半导体器件及半导体器件的形成方法 [P].

宋化龙 .

中国专利 :CN104425278B ,2015-03-18

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

汪红红 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN110112065A ,2019-08-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109830438B ,2019-05-31

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09

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