半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410078899.9

申请日：

2014-03-05

公开(公告)号：

CN103811307A

公开(公告)日：

2014-05-21

发明(设计)人：

高超江红王哲献

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2014-05-21	公开	公开
2014-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583095505 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014100788999 申请日:20140305

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103426755A ,2013-12-04

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

邓浩 ;

陈志刚 ;

黄涛 .

中国专利 :CN106847913A ,2017-06-13

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN104681403A ,2015-06-03

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN104752205B ,2015-07-01

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110021662B ,2019-07-16

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109830438B ,2019-05-31

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109994547B ,2019-07-09

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103545179B ,2014-01-29

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113284898B ,2024-09-10

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110707040A ,2020-01-17

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