半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110340619.3

申请日：

2011-11-01

公开(公告)号：

CN103094192A

公开(公告)日：

2013-05-08

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101468527910 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011103406193 申请日:20111101
2013-05-08	公开	公开
2015-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094136B ,2013-05-08

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103137545A ,2013-06-05

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

蒋晓钧 ;

吴端毅 .

中国专利 :CN109841573A ,2019-06-04

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

吴金刚 ;

倪景华 ;

黄晓辉 .

中国专利 :CN102487048B ,2012-06-06

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

韩秋华 ;

纪世良 .

中国专利 :CN106298666A ,2017-01-04

[7]

半导体器件形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103117247A ,2013-05-22

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103178000A ,2013-06-26

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

卜伟海 ;

康劲 .

中国专利 :CN104681403A ,2015-06-03

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN109786359A ,2019-05-21

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