半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110383462.2

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN103137545A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23525

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486729750 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2011103834622 申请日:20111125
2013-06-05	公开	公开
2015-08-05	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103117247A ,2013-05-22

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103178000A ,2013-06-26

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094192A ,2013-05-08

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

冯军宏 .

中国专利 :CN109786359A ,2019-05-21

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

纪世良 ;

朱永吉 .

中国专利 :CN111081547A ,2020-04-28

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094136B ,2013-05-08

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110729341B ,2024-01-26

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

何其暘 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106558608B ,2017-04-05

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107591438A ,2018-01-16

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