半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510615851.1

申请日：

2015-09-24

公开(公告)号：

CN106558608B

公开(公告)日：

2017-04-05

发明(设计)人：

张城龙何其暘张海洋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-05	授权	授权
2017-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101716968877 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015106158511 申请日:20150924
2017-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104217992A ,2014-12-17

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

张田田 ;

荆学珍 ;

童哲源 ;

肖张茹 ;

于海龙 .

中国专利 :CN112397442B ,2025-06-17

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

张田田 ;

荆学珍 ;

童哲源 ;

肖张茹 ;

于海龙 .

中国专利 :CN112397442A ,2021-02-23

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106409677B ,2017-02-15

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103715134B ,2014-04-09

[6]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[7]

半导体器件及其形成方法 [P].

林昭宏 ;

黄仁德 .

中国专利 :CN119133086A ,2024-12-13

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107591438A ,2018-01-16

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103178000A ,2013-06-26

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