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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210379979.9
申请日：
2012-09-29
公开(公告)号：
CN103715134B
公开(公告)日：
2014-04-09
发明(设计)人：
三重野文健
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
H01L21336
H01L2978
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-05-25 | 授权 | 授权 |
| 2014-04-09 | 公开 | 公开 |
| 2014-05-07 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582050832 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012103799799 申请日:20120929 |