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半导体器件及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811140194.X
申请日：
2018-09-28
公开(公告)号：
CN110970299B
公开(公告)日：
2024-01-26
发明(设计)人：
张焕云
吴健
申请人：
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H01L21/336
IPC分类号：
H01L29/78
H01L21/762
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
薛异荣;吴敏
法律状态：
授权
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-01-26 | 授权 | 授权 |