半导体器件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610903470.8

申请日：

2016-10-17

公开(公告)号：

CN107958872B

公开(公告)日：

2018-04-24

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-24	公开	公开
2018-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20161017
2020-09-08	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107437562B ,2017-12-05

[2]

半导体器件及其形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN106469652B ,2017-03-01

[3]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107492523B ,2017-12-19

[4]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄峰 ;

陈林 ;

王睿 .

中国专利 :CN108573871A ,2018-09-25

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105990114A ,2016-10-05

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106298894A ,2017-01-04

[8]

半导体器件及其形成方法 [P].

高汉杰 ;

赵杰 ;

宋伟基 .

中国专利 :CN104752179A ,2015-07-01

[9]

半导体器件及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108206205A ,2018-06-26

[10]

半导体器件及其形成方法 [P].

张城龙 ;

何其暘 ;

张海洋 .

中国专利 :CN106558608B ,2017-04-05

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