半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610364768.6

申请日：

2016-05-27

公开(公告)号：

CN107437562B

公开(公告)日：

2017-12-05

发明(设计)人：

李勇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

高静;吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20160527
2017-12-05	公开	公开
2020-11-27	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105990114A ,2016-10-05

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106298894A ,2017-01-04

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826262B ,2016-08-03

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826258A ,2016-08-03

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107591437A ,2018-01-16

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105826177A ,2016-08-03

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN107492499A ,2017-12-19

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826259B ,2016-08-03

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