半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510051766.7

申请日：

2015-01-30

公开(公告)号：

CN105990114A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

刘焕新

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686678521 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015100517667 申请日:20150130
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105826177A ,2016-08-03

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107437562B ,2017-12-05

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106298894A ,2017-01-04

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107958872B ,2018-04-24

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826262B ,2016-08-03

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826258A ,2016-08-03

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826259B ,2016-08-03

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105826260A ,2016-08-03

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 ;

纪世良 .

中国专利 :CN106486424B ,2017-03-08

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