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半导体器件的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201510009359.X
申请日：
2015-01-08
公开(公告)号：
CN105826260A
公开(公告)日：
2016-08-03
发明(设计)人：
张海洋 张城龙
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L218238
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
应战;骆苏华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-08-03 公开 公开
2016-08-31 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676765041 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:201510009359X 申请日:20150108
2019-01-22 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
黄瑞轩 .
中国专利 :CN105826258A ,2016-08-03
[2]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 ;
纪世良 .
中国专利 :CN106486424B ,2017-03-08
[3]
半导体器件的形成方法 [P]. 
沈忆华 ;
余云初 ;
潘见 ;
傅丰华 .
中国专利 :CN106611711A ,2017-05-03
[4]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
黄瑞轩 .
中国专利 :CN105826262B ,2016-08-03
[5]
半导体器件的形成方法 [P]. 
刘焕新 .
中国专利 :CN105990114A ,2016-10-05
[6]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23
[7]
半导体器件的形成方法 [P]. 
胡明宇 ;
李亮 ;
李建财 .
中国专利 :CN118315344B ,2024-08-02
[8]
半导体器件的形成方法 [P]. 
张海洋 ;
张城龙 .
中国专利 :CN105826177A ,2016-08-03
[9]
半导体器件的形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN107437562B ,2017-12-05
[10]
半导体器件的形成方法 [P]. 
胡明宇 ;
李亮 ;
李建财 .
中国专利 :CN118315344A ,2024-07-09
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