半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510531700.8

申请日：

2015-08-26

公开(公告)号：

CN106486424B

公开(公告)日：

2017-03-08

发明(设计)人：

张海洋张城龙纪世良

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21311 H01L2128

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	授权	授权
2017-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101710760593 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2015105317008 申请日:20150826
2017-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826258A ,2016-08-03

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105826260A ,2016-08-03

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

沈忆华 ;

余云初 ;

潘见 ;

傅丰华 .

中国专利 :CN106611711A ,2017-05-03

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826262B ,2016-08-03

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105990114A ,2016-10-05

[6]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN106158645A ,2016-11-23

[7]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

张城龙 .

中国专利 :CN105826177A ,2016-08-03

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107437562B ,2017-12-05

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

黄瑞轩 .

中国专利 :CN105826259B ,2016-08-03

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

张海洋 ;

洪中山 .

中国专利 :CN106298894A ,2017-01-04

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