半导体器件及半导体器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580084892.0

申请日：

2015-12-31

公开(公告)号：

CN108369946A

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

赵静张臣雄

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

郝传鑫;熊永强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-29	授权	授权
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20151231
2018-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件 [P].

鹰巢博昭 .

中国专利 :CN101373769B ,2009-02-25

[2]

半导体器件 [P].

鹰巢博昭 ;

高品隆之 ;

山本祐广 .

中国专利 :CN101373766A ,2009-02-25

[3]

半导体器件以及形成半导体器件的方法 [P].

朱慧珑 ;

林红 .

中国专利 :CN101097955A ,2008-01-02

[4]

半导体器件 [P].

张磊 ;

李铁生 ;

马荣耀 .

中国专利 :CN202917488U ,2013-05-01

[5]

半导体器件 [P].

君塚直彦 ;

今井清隆 ;

益冈有里 ;

岩本敏幸 ;

西藤哲史 ;

渡边启仁 ;

多田鲇香 .

中国专利 :CN100388496C ,2005-11-30

[6]

半导体器件 [P].

李铁生 ;

张磊 .

中国专利 :CN202205747U ,2012-04-25

[7]

半导体器件的制造方法 [P].

梁元硕 ;

金基南 ;

赵昶贤 .

中国专利 :CN1131561C ,1999-11-24

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[10]

半导体器件 [P].

小野瑞城 ;

石原贵光 .

中国专利 :CN1591903A ,2005-03-09

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