半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011548504.9

申请日：

2020-12-24

公开(公告)号：

CN113314536A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

林士豪杨智铨苏信文林建隆林建智

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2711

IPC分类号：

H01L218244

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11 申请日:20201224

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

砂村润 ;

金子贵昭 ;

古武直也 ;

齐藤忍 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103681673A ,2014-03-26

[2]

半导体器件 [P].

O·韦伯 ;

K·J·多里 ;

P·库玛 ;

S·J·阿梅德 ;

C·勒科克 ;

P·乌拉尔 .

法国专利 :CN220776394U ,2024-04-12

[3]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

李制勳 ;

金恩贤 ;

申相原 ;

李恩荣 .

中国专利 :CN105552128B ,2016-05-04

[5]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

浅野正义 ;

三谷纯一 .

中国专利 :CN102623489A ,2012-08-01

[6]

半导体器件 [P].

金雅廪 ;

金成勋 ;

边大锡 .

中国专利 :CN114582866A ,2022-06-03

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

户田达也 ;

津吹将志 .

中国专利 :CN112687747A ,2021-04-20

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

户田达也 ;

津吹将志 .

日本专利 :CN112687747B ,2024-07-12

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

远藤佑太 .

中国专利 :CN102939659A ,2013-02-20

← 1 2 3 4 5 →