半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202321763924.8

申请日：

2023-07-06

公开(公告)号：

CN220776394U

公开(公告)日：

2024-04-12

发明(设计)人：

O·韦伯 K·J·多里 P·库玛 S·J·阿梅德 C·勒科克 P·乌拉尔

申请人：

意法半导体有限公司意法半导体（克洛尔2）公司意法半导体国际有限公司

申请人地址：

法国蒙鲁

IPC主分类号：

H10B10/00

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/45 H01L27/092

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

成城

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更	专利权人的姓名或者名称、国籍和地址的变更IPC(主分类):H10B 10/00变更事项:专利权人变更前:意法半导体有限公司变更后:意法半导体法国公司变更事项:国家或地区变更前:法国变更后:法国变更事项:地址变更前:法国蒙鲁变更后:法国蒙鲁日变更事项:专利权人变更前:意法半导体（克洛尔2）公司意法半导体国际有限公司变更后:意法半导体（克洛尔2）公司意法半导体国际有限公司变更事项:国家或地区变更前:法国荷兰变更后:法国荷兰
2024-04-12	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[2]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

托马斯·W.·戴尔 .

中国专利 :CN101136403A ,2008-03-05

[4]

具有静态随机存取存储器电路的绝缘体上硅半导体器件 [P].

O·韦伯 ;

K·J·多里 ;

P·库玛 ;

S·J·阿梅德 ;

C·勒科克 ;

P·乌拉尔 .

法国专利 :CN117377309A ,2024-01-09

[5]

半导体器件 [P].

泽田阳平 ;

薮内诚 ;

石井雄一郎 .

中国专利 :CN107077885A ,2017-08-18

[6]

半导体器件 [P].

炭田昌哉 .

中国专利 :CN1734765A ,2006-02-15

[7]

半导体器件 [P].

炭田昌哉 .

中国专利 :CN101257301A ,2008-09-03

[8]

半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN103250239A ,2013-08-14

[9]

半导体存储器件 [P].

岩城宏明 ;

熊谷浩一 .

中国专利 :CN1114954C ,1998-08-19

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

吴云骥 ;

曾郁雯 .

中国专利 :CN109103197A ,2018-12-28

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