半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710112298.5

申请日：

2007-06-29

公开(公告)号：

CN101136403A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

杨海宁托马斯·W.·戴尔

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L23522 H01L2711 H01L21822 H01L218244 H01L2176 H01L21768

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

李春晖

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183788658 IPC(主分类):H01L 27/04 专利申请号:2007101122985 公开日:20080305
2008-04-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和形成半导体器件的方法 [P].

杨海宁 ;

杰克·A.·曼德尔曼 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101159256A ,2008-04-09

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

奥村喜纪 ;

上野修一 ;

古田阳雄 .

中国专利 :CN1251316C ,2004-06-02

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

林佑明 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

贾汉中 ;

徐志安 .

中国专利 :CN114649348A ,2022-06-21

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN106024792A ,2016-10-12

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN114242719B ,2025-11-04

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李斗成 .

中国专利 :CN101459197A ,2009-06-17

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN114242719A ,2022-03-25

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

金秀泓 .

中国专利 :CN101383373B ,2009-03-11

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