半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610169772.7

申请日：

2016-03-23

公开(公告)号：

CN106024792A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

天羽生淳

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L29423 H01L2128 H01L218247

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

李辉;董典红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20160323
2016-10-12	公开	公开
2021-07-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN114242719B ,2025-11-04

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN114242719A ,2022-03-25

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山越英明 ;

桥本孝司 ;

阿部真一郎 ;

大水祐人 .

中国专利 :CN108878427A ,2018-11-23

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN105977254B ,2016-09-28

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

川嶋祥之 ;

伊藤文俊 ;

坂井健志 ;

石井泰之 ;

金丸恭弘 ;

桥本孝司 ;

水野真 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN1534768A ,2004-10-06

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

小西纲一 ;

丸山隆弘 ;

镰田拓步 ;

河合彻 .

日本专利 :CN121013357A ,2025-11-25

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

井上真雄 ;

丸山祥辉 ;

齐藤朋也 ;

吉富敦司 .

中国专利 :CN105140275A ,2015-12-09

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 .

中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12

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