半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610006154.7

申请日：

2006-01-19

公开(公告)号：

CN1819267A

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

外园明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

胡建新

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-18	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-16	公开	公开
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

时田裕文 .

中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

野村浩 ;

斋木孝志 ;

迫田恒久 .

中国专利 :CN1885545A ,2006-12-27

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN107155369B ,2017-09-12

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

中西贤太郎 ;

柁谷敦宏 .

中国专利 :CN1627534A ,2005-06-15

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

金永奭 .

中国专利 :CN101409307A ,2009-04-15

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[7]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

山下朋弘 .

中国专利 :CN109473438A ,2019-03-15

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

浅野正义 ;

铃木嘉之 ;

伊藤哲也 ;

和田一 .

中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

山川真弥 ;

馆下八州志 .

中国专利 :CN101641780B ,2010-02-03

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