半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN200410097854.2
申请日
2004-12-01
公开(公告)号
CN1627534A
公开(公告)日
2005-06-15
发明(设计)人
中西贤太郎 柁谷敦宏
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L21336
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汪惠民
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
外园明 .
中国专利 :CN1819267A ,2006-08-16
[2]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
时田裕文 .
中国专利 :CN102822959A ,2012-12-12
[3]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
野村浩 ;
斋木孝志 ;
迫田恒久 .
中国专利 :CN1885545A ,2006-12-27
[4]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
浅野正义 ;
铃木嘉之 ;
伊藤哲也 ;
和田一 .
中国专利 :CN101326632A ,2008-12-17
[5]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
山越英明 ;
桥本孝司 ;
阿部真一郎 ;
大水祐人 .
中国专利 :CN108878427A ,2018-11-23
[6]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
志波和佳 .
中国专利 :CN1943037A ,2007-04-04
[7]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
一条尚生 ;
A·阿丹 ;
成濑一史 ;
键泽笃 .
中国专利 :CN101465378A ,2009-06-24
[8]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
一条尚生 ;
A.阿丹 ;
成濑一史 ;
键泽笃 .
中国专利 :CN102856386A ,2013-01-02
[9]
半导体器件的制造方法 [P]. 
谷口泰弘 ;
志波和佳 .
中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05
[10]
半导体器件及其制造方法 [P]. 
松尾浩司 .
中国专利 :CN1190851C ,2002-05-01