半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510109750.3

申请日：

2005-09-21

公开(公告)号：

CN100418224C

公开(公告)日：

2006-03-29

发明(设计)人：

外园明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-03-29	公开	公开
2010-12-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101020692268 IPC(主分类):H01L 27/04 专利号:ZL2005101097503 申请日:20050921 授权公告日:20080910 终止日期:20091021
2008-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

本间俊广 .

中国专利 :CN1841706A ,2006-10-04

[2]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

松野光一 ;

盐泽顺一 .

中国专利 :CN1489215A ,2004-04-14

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

小森重树 .

中国专利 :CN1893002A ,2007-01-10

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[5]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[6]

半导体器件的制造方法 [P].

谷口泰弘 ;

志波和佳 .

中国专利 :CN101030556B ,2007-09-05

[7]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

井上隆 ;

竹胁利至 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN104681617B ,2015-06-03

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

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