半导体器件及半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080069927.0

申请日：

2010-11-05

公开(公告)号：

CN103201841A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

多木俊裕西森理人今田忠纮

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县川崎市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2912

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

金相允;向勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503525283 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010800699270 申请日:20101105
2019-10-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20101105 授权公告日:20160622 终止日期:20181105
2013-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

[4]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23

[5]

半导体器件及制造该半导体器件的方法 [P].

冈本康弘 ;

中山达峰 ;

井上隆 ;

宫本广信 .

中国专利 :CN102931221B ,2013-02-13

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[8]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

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