半导体器件及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110264433.4

申请日：

2011-08-31

公开(公告)号：

CN102446768A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

江间泰示藤田和司

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2936 H01L2910 H01L2978

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张浴月;张志杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-09	公开	公开
2015-06-17	授权	授权
2020-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20110831 授权公告日:20150617 终止日期:20190831
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101271725334 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011102644334 申请日:20110831

共 50 条

[1]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

[3]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[4]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[5]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[6]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[7]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 ;

王纯志 .

中国专利 :CN102446856A ,2012-05-09

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

堀充明 ;

鸟居泰伸 .

中国专利 :CN103579347B ,2014-02-12

[9]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

井口总一郎 .

中国专利 :CN103367448A ,2013-10-23

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

磯部敦生 ;

高野圭恵 ;

荒井康行 ;

寺澤郁子 .

中国专利 :CN101064348A ,2007-10-31

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