半导体器件及制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110264514.4

申请日：

2011-08-31

公开(公告)号：

CN102446856A

公开(公告)日：

2012-05-09

发明(设计)人：

江间泰示藤田和司王纯志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L21265 H01L27092 H01L2906

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

李琳;张龙哺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-05-09	公开	公开
2014-07-23	授权	授权
2012-06-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101271729645 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2011102645144 申请日:20110831
2020-08-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20110831 授权公告日:20140723 终止日期:20190831

共 50 条

[1]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

江间泰示 ;

藤田和司 .

中国专利 :CN102446768A ,2012-05-09

[2]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

外园明 .

中国专利 :CN100418224C ,2006-03-29

[3]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

菊池善明 ;

若林整 .

中国专利 :CN101997032B ,2011-03-30

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[5]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

藤田和司 ;

江间泰示 ;

小川裕之 .

中国专利 :CN102655150A ,2012-09-05

[6]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

山口直 .

中国专利 :CN102456742A ,2012-05-16

[7]

半导体器件以及半导体器件的制造方法 [P].

宫本广信 ;

冈本康宏 ;

川口宏 ;

中山达峰 .

中国专利 :CN107275397A ,2017-10-20

[8]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

加藤芳健 .

中国专利 :CN106663634B ,2017-05-10

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

舛冈富士雄 ;

中村广记 .

中国专利 :CN103314443A ,2013-09-18

[10]

半导体器件及半导体器件的制造方法 [P].

多木俊裕 ;

西森理人 ;

今田忠纮 .

中国专利 :CN103201841A ,2013-07-10

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