半导体器件和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910147423.5

申请日：

2009-06-10

公开(公告)号：

CN101604691B

公开(公告)日：

2009-12-16

发明(设计)人：

森田祐介土屋龙太石垣隆士杉井信之木村绅一郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423 H01L2906 H01L218234 H01L21336

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-12-16	公开	公开
2015-08-05	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101619434225 IPC(主分类):H01L 27/088 专利号:ZL2009101474235 申请日:20090610 授权公告日:20110907 终止日期:20140610
2011-09-07	授权	授权
2010-12-01	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101046585278 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2009101474235 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社瑞萨科技变更后权利人:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本神奈川县登记生效日:20101020
2010-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

砂村润 ;

井上尚也 ;

金子贵昭 .

中国专利 :CN103247683A ,2013-08-14

[2]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[9]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

伊藤贵之 .

中国专利 :CN1574292A ,2005-02-02

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

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