半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310041425.2

申请日：

2013-02-01

公开(公告)号：

CN103247683A

公开(公告)日：

2013-08-14

发明(设计)人：

砂村润井上尚也金子贵昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L29417 H01L21336 H01L2128

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-19	授权	授权
2020-01-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20130201 授权公告日:20171219 终止日期:20190201
2015-11-25	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724048285 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013100414252 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2013-08-14	公开	公开
2015-02-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101598144236 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013100414252 申请日:20130201

共 50 条

[1]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

木下敦宽 ;

土屋义规 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN100448008C ,2006-08-16

[3]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

佐藤浩 .

中国专利 :CN101796645B ,2010-08-04

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

宫本广信 ;

中山达峰 ;

冈本康宏 ;

壶井笃司 .

中国专利 :CN108933177A ,2018-12-04

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

金村雅仁 ;

宫岛丰生 ;

多木俊裕 .

中国专利 :CN103022105A ,2013-04-03

← 1 2 3 4 5 →