半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210353412.4

申请日：

2012-09-20

公开(公告)号：

CN103022105A

公开(公告)日：

2013-04-03

发明(设计)人：

金村雅仁宫岛丰生多木俊裕

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L29778 H01L2128 H01L21335 H02M5458 H03F3189

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

顾晋伟;全万志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-03	公开	公开
2017-02-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101745881577 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012103534124 申请公布日:20130403
2013-05-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101448960200 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2012103534124 申请日:20120920

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[4]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

砂村润 ;

井上尚也 ;

金子贵昭 .

中国专利 :CN103247683A ,2013-08-14

[7]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

金子贵昭 ;

井上尚也 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103165605A ,2013-06-19

[8]

半导体器件和制造该半导体器件的方法 [P].

井上尚也 ;

金子贵昭 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN103178048B ,2013-06-26

[9]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

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