半导体器件制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910501356.6

申请日：

2019-06-11

公开(公告)号：

CN110600378A

公开(公告)日：

2019-12-20

发明(设计)人：

野濑幸则

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 H01L21324 H01L21285

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-20	公开	公开
2021-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20190611

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[2]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN102646581A ,2012-08-22

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

中国专利 :CN110556293A ,2019-12-10

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[6]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

森田祐介 ;

土屋龙太 ;

石垣隆士 ;

杉井信之 ;

木村绅一郎 .

中国专利 :CN101604691B ,2009-12-16

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN110556293B ,2024-03-08

[8]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

金村雅仁 ;

宫岛丰生 ;

多木俊裕 .

中国专利 :CN103022105A ,2013-04-03

[9]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

寺本章伸 ;

神林宏 ;

上田博一 ;

两角友一朗 ;

原田豪繁 ;

长谷部一秀 ;

大见忠弘 .

中国专利 :CN103339733A ,2013-10-02

[10]

半导体器件的制造方法以及半导体器件 [P].

木城耕一 .

中国专利 :CN1862790A ,2006-11-15

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