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半导体器件以及制造半导体器件的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201110321657.4
申请日
:
2011-10-21
公开(公告)号
:
CN102456742A
公开(公告)日
:
2012-05-16
发明(设计)人
:
山口直
申请人
:
申请人地址
:
日本神奈川
IPC主分类号
:
H01L2978
IPC分类号
:
H01L2904
H01L21336
代理机构
:
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人
:
申发振
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-05-16
公开
公开
2014-06-11
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回 号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101701716588 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011103216574 申请公布日:20120516
共 50 条
[1]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
宫本广信
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宫本广信
;
冈本康宏
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冈本康宏
;
川口宏
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川口宏
;
中山达峰
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中山达峰
.
中国专利
:CN107275397A
,2017-10-20
[2]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
森田祐介
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森田祐介
;
土屋龙太
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土屋龙太
;
石垣隆士
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石垣隆士
;
杉井信之
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杉井信之
;
木村绅一郎
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木村绅一郎
.
中国专利
:CN101604691B
,2009-12-16
[3]
半导体器件以及制造半导体器件的方法
[P].
井上隆
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井上隆
;
竹胁利至
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竹胁利至
;
中山达峰
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中山达峰
;
冈本康宏
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冈本康宏
;
宫本广信
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宫本广信
.
中国专利
:CN104681617B
,2015-06-03
[4]
半导体器件以及半导体器件的制造方法
[P].
藤田和司
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藤田和司
;
江间泰示
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江间泰示
;
小川裕之
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小川裕之
.
中国专利
:CN102655150A
,2012-09-05
[5]
半导体器件的制造方法以及半导体器件
[P].
山内尚
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山内尚
;
西义史
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西义史
;
木下敦宽
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木下敦宽
;
土屋义规
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土屋义规
;
古贺淳二
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古贺淳二
;
加藤弘一
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加藤弘一
.
中国专利
:CN101330055A
,2008-12-24
[6]
半导体器件及半导体器件制造方法
[P].
菊池善明
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菊池善明
;
若林整
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若林整
.
中国专利
:CN101997032B
,2011-03-30
[7]
半导体器件及半导体器件的制造方法
[P].
外园明
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外园明
.
中国专利
:CN100418224C
,2006-03-29
[8]
半导体器件和半导体器件的制造方法
[P].
园田真久
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园田真久
;
井口直
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井口直
;
角田弘昭
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角田弘昭
;
坂上荣人
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坂上荣人
.
中国专利
:CN1490882A
,2004-04-21
[9]
半导体器件及制造半导体器件的方法
[P].
江间泰示
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江间泰示
;
藤田和司
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藤田和司
;
王纯志
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王纯志
.
中国专利
:CN102446856A
,2012-05-09
[10]
制造半导体器件的方法和半导体器件
[P].
宫波勇树
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宫波勇树
.
中国专利
:CN101064257A
,2007-10-31
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